BJT vs. IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) ja IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ovat kahden tyyppisiä transistoreita, joita käytetään virtojen ohjaamiseen. Molemmilla laitteilla on PN-liitokset ja niiden rakenne on erilainen. Vaikka molemmat ovat transistoreita, niillä on merkittäviä eroja ominaisuuksissa.
BJT (kaksisuuntainen liitostransistori)
BJT on transistorityyppi, joka koostuu kahdesta PN-liitoksesta (liitos, joka tehdään yhdistämällä ap-tyyppinen puolijohde ja n-tyyppinen puolijohde). Nämä kaksi liitosta muodostetaan yhdistämällä kolme puolijohdekappaletta PNP- tai NPN-järjestyksessä. Siksi on saatavana kahta BJT-tyyppiä, jotka tunnetaan nimellä PNP ja NPN.
Näihin kolmeen puolijohdeosaan on kytketty kolme elektrodia, ja keskijohtoa kutsutaan 'alustaksi'. Kaksi muuta risteystä ovat 'emitter' ja 'collector'.
BJT: ssä suurta kollektorilähetinvirtaa (I c) ohjaa pieni emitterivirta (IB), ja tätä ominaisuutta hyödynnetään vahvistimien tai kytkimien suunnittelussa. Siksi sitä voidaan pitää virtalähteisenä laitteena. BJT: tä käytetään enimmäkseen vahvistinpiireissä.
IGBT (eristetty portti bipolaaritransistori)
IGBT on puolijohdelaite, jossa on kolme päätelaitetta, jotka tunnetaan nimellä 'Emitter', 'Collector' ja 'Gate'. Se on eräänlainen transistori, joka pystyy käsittelemään suurempaa tehomäärää ja jolla on suurempi kytkentänopeus, mikä tekee siitä erittäin tehokkaan. IGBT on tuotu markkinoille 1980-luvulla.
IGBT: llä on sekä MOSFETin että bipolaarisen liitostransistorin (BJT) yhdistetyt ominaisuudet. Se on porttikäyttöinen kuin MOSFET ja sillä on nykyiset jänniteominaisuudet kuten BJT: t. Siksi sillä on etuna sekä korkea virrankäsittelyominaisuus että helppokäyttöisyys. IGBT-moduulit (koostuvat useista laitteista) käsittelevät kilowattia tehoa.
BJT: n ja IGBT: n ero
1. BJT on virtalähtöinen laite, kun taas IGBT: tä ohjaa hilajännite
2. IGBT: n terminaalit tunnetaan lähettäjinä, kerääjinä ja portteina, kun taas BJT on valmistettu lähettimistä, kerääjistä ja alustoista.
3. IGBT: t ovat parempia tehonkäsittelyssä kuin BJT
4. IGBT: tä voidaan pitää BJT: n ja FET: n (Field Effect Transistor) yhdistelmänä.
5. IGBT: llä on monimutkainen laiterakenne verrattuna BJT: hen
6. BJT: llä on pitkä historia IGBT: hen verrattuna
