IGBT vs MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ja IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ovat kahden tyyppisiä transistoreita, ja molemmat kuuluvat porttiohjattuun luokkaan. Molemmilla laitteilla on samanlainen näköinen rakenne, erityyppisillä puolijohdekerroksilla.
Metallioksidipuolijohdekenttätransistori (MOSFET)
MOSFET on eräänlainen kenttätransistori (FET), joka koostuu kolmesta päätelaitteesta, jotka tunnetaan nimellä 'Gate', 'Source' ja 'Drain'. Tässä tyhjennysvirtaa ohjataan hilajännitteellä. Siksi MOSFETit ovat jänniteohjattuja laitteita.
MOSFET-laitteita on saatavana neljänä erityyppisenä, kuten n- tai p-kanava, joko tyhjentämis- tai parannustilassa. Tyhjennys ja lähde on valmistettu n-tyyppisestä puolijohteesta n-kanavan MOSFET-laitteille ja vastaavasti p-kanavan laitteille. Portti on valmistettu metallista ja erotettu lähteestä ja viemäristä metallioksidilla. Tämä eristys aiheuttaa pienen virrankulutuksen, ja se on etu MOSFET: ssä. Siksi MOSFET: ää käytetään digitaalisessa CMOS-logiikassa, jossa p- ja n-kanavan MOSFET: itä käytetään rakennuspalikoina virrankulutuksen minimoimiseksi.
Vaikka MOSFET-konseptia ehdotettiin hyvin aikaisin (vuonna 1925), se toteutettiin käytännössä vuonna 1959 Bell labsissa.
Eristetty porttinen kaksisuuntainen transistori (IGBT)
IGBT on puolijohdelaite, jossa on kolme päätelaitetta, jotka tunnetaan nimellä 'Emitter', 'Collector' ja 'Gate'. Se on eräänlainen transistori, joka pystyy käsittelemään suurempaa tehomäärää ja jolla on suurempi kytkentänopeus, mikä tekee siitä erittäin tehokkaan. IGBT tuotiin markkinoille 1980-luvulla.
IGBT: llä on sekä MOSFETin että bipolaarisen liitostransistorin (BJT) yhdistetyt ominaisuudet. Se on porttikäyttöinen kuin MOSFET, ja sillä on nykyiset jänniteominaisuudet kuten BJT: t. Siksi sillä on etuna sekä korkea virrankäsittelyominaisuus että helppokäyttöisyys. IGBT-moduulit (koostuvat useista laitteista) pystyvät käsittelemään kilowattia tehoa.
IGBT: n ja MOSFETin ero
1. Vaikka sekä IGBT että MOSFET ovat jänniteohjattuja laitteita, IGBT: llä on BJT: n kaltaiset johtavuusominaisuudet.
2. IGBT: n terminaalit tunnetaan lähettäjinä, kerääjinä ja portteina, kun taas MOSFET on valmistettu portista, lähteestä ja viemäristä.
3. IGBT: t ovat parempia tehonkäsittelyssä kuin MOSFETS
4. IGBT: llä on PN-risteyksiä, eikä MOSFET-laitteilla ole niitä.
5. IGBT: llä on pienempi eteenpäin suuntautuva jännitehäviö kuin MOSFET
6. MOSFETillä on pitkä historia IGBT: hen verrattuna
